1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0083C0087C0073C0084C0067C0072C0077C0079C0068C0069 C0083C0101C0114C0105C0101C0115
C0078C0080C0078 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0111C0119C0101C0114 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
• Very fast switching times:
T
F
max. = 0.4 µs at I
C
= 8 A
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎÎÎ
200
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎ
7
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (V
BE
= –2.5 V)
ÎÎÎÎÎ
V
CEX
ÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (R
BE
= 100 Ω)
ÎÎÎÎÎ
V
CER
ÎÎÎÎÎÎ
240
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Current — Continuous
Collector–Current — Peak (pw C0118 10 ms)ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
C
I
CM
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
15
20 ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
Apk
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Current continuous
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎ
3
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
120
ÎÎÎ
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to 200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
1.46
ÎÎÎ
C0095C/W
1.0
Figure 1. Power Derating
T
C
, TEMPERATURE (°C)
0 40 80 120 160 200
0.6
0.4
0.2
0.8
DERA
TING F
ACT
OR
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUX41/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0085C0088C0052C0049
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
15 AMPERES
NPN SILICON
POWER
METAL TRANSISTOR
200 VOLTS
120 WATTS
REV 7