1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0083C0087C0073C0084C0067C0072C0077C0079C0068C0069n636861720000000000000000C0083C0101C0114C0105C0101C0115
C0078C0080C0078 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0111C0119C0101C0114 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for high current, high speed, high power applications.
• High DC current gain; h
FE
min. = 20 at I
C
= 6 A
• Low V
CE(sat)
, V
CE(sat)
max. = 0.6 V at I
C
= 6 A
• Very fast switching times:
T
F
max. = 0.8 µs at I
C
= 12 A
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
200
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
7
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (V
BE
= –1.5 V)
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
CEX
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage (R
BE
= 100 Ω)
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
CER
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
240
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Current— Continuous
— Peak (pw C0118 10 ms)
ÎÎÎÎÎÎÎ
I
C
I
CM
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
20
25
ÎÎÎÎ
Adc
Apk
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Current continuous
ÎÎÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
4
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
150
ÎÎÎÎ
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to 200
ÎÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.17
ÎÎÎÎ
C0095C/W
1.0
Figure 1. Power Derating
T
C
, TEMPERATURE (°C)
0 40 80 120 160 200
0.6
0.4
0.2
0.8
DERA
TING F
ACT
OR
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BUV11/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0085C0086C0049C0049
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
20 AMPERES
NPN SILICON
POWER
METAL TRANSISTOR
200 VOLTS
150 WATTS
REV 7