1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0078C0080C0078 C0068C0097C0114C0108C0105C0110C0103C0116C0111C0110 C0080C0111C0119C0101C0114
C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
This Darlington transistor is a high voltage, high speed device for use in horizontal
deflection circuits in TV’s and CRT’s.
• High Voltage: V
CEV
= 330 or 400 V
• Fast Switching Speed:
t
c
= 1.0 µs (max)
• Low Saturation Voltage:
V
CE(sat)
= 1.5 V (max)
• Packaged in JEDEC TO–220AB
• Damper Diode V
F
is specified.
V
F
= 2.0 V (max)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
BU806
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎÎ
200
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
V
CEV
ÎÎÎÎÎÎÎ
400
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎÎÎ
400
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak
ÎÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
8.0
15
ÎÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Collector Diode Current
ÎÎÎÎÎÎ
I
F
ÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation, T
C
= 25°C
Derate above T
C
= 25C0095C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
60
0.48
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to 150
ÎÎÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.08
ÎÎÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎÎ
R
θJA
ÎÎÎÎÎÎÎ
70
ÎÎÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering Purposes,
1/8″ from Case for 5.0 Seconds ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
T
L
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
275
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
C0095C
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BU806/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0085C0056C0048C0054
8.0 AMPERE
DARLINGTON
NPN POWER
TRANSISTORS
60 WATTS
200 VOLTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 1