3–1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0078C0080C0078 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0068C0097C0114C0108C0105C0110C0103C0116C0111C0110 C0080C0111C0119C0101C0114
C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,
switching regulator and motor control applications.
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CER(sus)
= 475 Vdc
• 125 Watts Capability at 50 Volts
• V
CE
Sat Specified at –40C0095C = 2.0 V Max. at I
C
= 6.0 A
• Photoglass Passivation for Reliability and Stability
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
CEO(sus)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
400
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
CEV
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
475
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
I
C
I
CM
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
16
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
— Peak (1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
I
B
I
BM
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation — T
C
= 25C0095C
— T
C
= 100C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
125
100
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from Case for 5 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
T
L
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
275
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C0095C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle C0120 10%.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BU323AP/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0085C0051C0050C0051C0065C0080
DARLINGTON
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
400 VOLTS
125 WATTS
CASE 340D–01
TO–218 TYPE
COLLECTOR
EMITTER
BASE
≈n636861720000000000000000 1 k ≈n636861720000000000000000 30
REV 7