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BTX18
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：SILICON THYRISTORS 器件厂商：ETC [ETC] 厂商主页：文件大小：107.61KB 文件页数：4 PDF阅读：BTX18.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： COMSET SEMICONDUCTORS 1/4 BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300 BTX18-400/BTX18-500 RATINGS Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) Anode to Cathode - Ratings Voltage 1 ) Symbol Ratings BTX18- 100 BTX18- 200 BTX18- 300 BTX18- 400 BTX18- 500 V R Continuous Reverse Voltage 100 200 300 400 500 V V RWM Crest Working Reverse Voltage 100 200 300 400 500 V V RRM Repetitive Peak Reverse Voltage (δ = 0.01 ; f=50Hz) 120 240 350 500 600 V V RSM Non-repetitive peak reverse voltage (t<10ms) 120 240 350 500 600 V V DWM Crest Working off-state Voltage 100 200 300 400 500 V V D Continuous off-state Voltage 100 200 300 400 500 V V DRM Repetitive peak off-state voltage (δ = 0.01 ; f=50Hz) 120 240 350 500 600 V?) V DSM Non-repetitive peak off-state voltage (t<10ms) 120 240 350 500 600 V?) Currents Symbol Ratings BTX18- 100 BTX18- 200 BTX18- 300 BTX18- 400 BTX18- 500 T CASE =105°C Max : 1.0 A I T(AV) Average on-state current (averaged over any 20 ms period) T AMB =60°C, in free air Max : 250 mA I T On-state Current (D.C.) T CASE =100°C Max : 1.6 A I T(RMS) RMS on-state Current Max : 1.6 A SILICON THYRISTORS The BTX18 series is a range of p-gate reverse blocking thyristors, in a TO-39 metal enveloppe, intended for use in general low power applications up to a A average on-state current. 相关器件：BTX18-500 BTX18-300 BTX18-100 BTX18-400 BTX18-200

BTX18

EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn

器件描述：SILICON THYRISTORS
器件厂商：ETC [ETC]
厂商主页：
文件大小：107.61KB
文件页数：4
PDF阅读：BTX18.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
COMSET SEMICONDUCTORS 1/4
BTX18-100/BTX18-200/BTX18-300
BTX18-400/BTX18-500
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
Anode to Cathode - Ratings
Voltage
1
)
Symbol Ratings
BTX18-
100
BTX18-
200
BTX18-
300
BTX18-
400
BTX18-
500
V
R
Continuous Reverse Voltage 100 200 300 400 500 V
V
RWM
Crest Working Reverse Voltage 100 200 300 400 500 V
V
RRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
(δ = 0.01 ; f=50Hz)
120 240 350 500 600 V
V
RSM
Non-repetitive peak reverse voltage
(t<10ms)
120 240 350 500 600 V
V
DWM
Crest Working off-state Voltage 100 200 300 400 500 V
V
D
Continuous off-state Voltage 100 200 300 400 500 V
V
DRM
Repetitive peak off-state voltage
(δ = 0.01 ; f=50Hz)
120 240 350 500 600 V?)
V
DSM
Non-repetitive peak off-state voltage
(t<10ms)
120 240 350 500 600 V?)
Currents
Symbol Ratings
BTX18-
100
BTX18-
200
BTX18-
300
BTX18-
400
BTX18-
500
T
CASE
=105°C Max : 1.0 A
I
T(AV)
Average on-state current
(averaged over any 20
ms period)
T
AMB
=60°C, in
free air
Max : 250 mA
I
T
On-state Current (D.C.)
T
CASE
=100°C
Max : 1.6 A
I
T(RMS)
RMS on-state Current Max : 1.6 A
SILICON THYRISTORS
The BTX18 series is a range of p-gate reverse blocking thyristors, in a
TO-39 metal enveloppe, intended for use in general low power
applications up to a A average on-state current.

相关器件：BTX18-500 BTX18-300 BTX18-100 BTX18-400 BTX18-200

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应用设计: 基于ARM和蓝牙的无线信号采集系统的设计与实现; 基于单片机和GPRS的矿区铁路道口监测系统; 基于MSP430单片机的开关稳压电源设计; 基于嵌入式系统的虚拟仪器设计; 基于80C51微处理器的OLED模块设计; 嵌入式阵列处理器的发展现状及前景; 广泛应用于未来一代汽车的高亮LED照明方案; 利用微控制器进行网络通信的网卡配置; 基于MCU的家庭防盗报警系统的设计与应用; 基于FPGA的UART接口开发

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