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BSP320
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：SIPMOS Small-Signal-Transistor 器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG] 厂商主页：http://www.infineon.com/ 文件大小：79.62KB 文件页数：8 PDF阅读：BSP320.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： Data Sheet 1 05.99 SIPMOS? Small-Signal-Transistor Product Summary Drain source voltage V DS 60 V Drain-Source on-state resistance R DS(on) 0.12 ? Continuous drain current I D 2.9 A Features ? N channel ? Enhancement mode ? Avalanche rated ? dv/dt rated VPS051631 2 3 4 Type Package Ordering Code BSP320S SOT-223 Q67000-S4001 Pin 1 Pin 2/4 Pin 3 G D S Maximum Ratings , at Tj = 25 ?C, unless otherwise specified Parameter Symbol UnitValue A I D 2.9Continuous drain current Pulsed drain current T A = 25 ?C IDpulse 11.6 E AS 60Avalanche energy, single pulse I D = 2.9 A, V DD = 25 V, R GS = 25 ? mJ A2.9 I AR Avalanche current,periodic limited by T jmax Avalanche energy, periodic limited by T jmax 0.18 E AR mJ dv/dt 6 Reverse diode dv/dt I S = 2.9 A, V DS = 20 V, di/dt = 200 A/?s, T jmax = 150 ?C kV/?s VGate source voltage V GS ±20 Power dissipation T A = 25 ?C P tot 1.8 W Operating temperature T j -55 ... +150 ?C Storage temperature T stg -55 ... +150 IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/150/56 BSP 320S 相关器件：BSP320S

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器件描述：SIPMOS Small-Signal-Transistor
器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商主页：http://www.infineon.com/
文件大小：79.62KB
文件页数：8
PDF阅读：BSP320.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
Data Sheet 1 05.99

SIPMOS? Small-Signal-Transistor
Product Summary
Drain source voltage
V
DS
60 V
Drain-Source on-state resistance
R
DS(on)
0.12
?
Continuous drain current
I
D
2.9 A
Features
? N channel
? Enhancement mode
? Avalanche rated
? dv/dt rated
VPS051631
2
3
4
Type Package Ordering Code
BSP320S SOT-223 Q67000-S4001
Pin 1 Pin 2/4 Pin 3
G D S
Maximum Ratings , at Tj = 25 ?C, unless otherwise specified
Parameter Symbol UnitValue
A
I
D
2.9Continuous drain current
Pulsed drain current
T
A
= 25 ?C
IDpulse
11.6
E
AS
60Avalanche energy, single pulse
I
D
= 2.9 A, V
DD
= 25 V, R
GS
= 25 ?
mJ
A2.9
I
AR
Avalanche current,periodic limited by T
jmax
Avalanche energy, periodic limited by T
jmax
0.18
E
AR
mJ
dv/dt
6
Reverse diode dv/dt
I
S
= 2.9 A, V
DS
= 20 V, di/dt = 200 A/?s,
T
jmax
= 150 ?C
kV/?s
VGate source voltage
V
GS
±20
Power dissipation
T
A
= 25 ?C
P
tot
1.8 W
Operating temperature
T
j
-55 ... +150 ?C
Storage temperature
T
stg
-55 ... +150
IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/150/56
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