BSM15GP120
器件描述：IGBT-Modules
器件厂商：EUPEC [eupec GmbH]
厂商主页：http://www.eupec.com
文件大小：199.42KB，共11页
Sponsor by e络盟器件资料摘要：
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM15GP120
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage VRRM 1600 V
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip IFRMSM 40 A
Dauergleichstrom
DC forward current TC = 80°C Id 15 A
Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = 25°C IFSM 300 A
surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C 230 A
Grenzlastintegral tP = 10 ms, Tvj = 25°C I2t 450 A2s
I2t - value tP = 10 ms, Tvj = 150°C 260 A2s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 80 °C IC,nom. 15 A
DC-collector current TC = 25 °C IC 35 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80 °C ICRM 30 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC = 25°C Ptot 180 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current Tc = 80 °C IF 15 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 30 A
Grenzlastintegral
I2t - value VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C I
2t 125 A2s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 10 A
DC-collector current TC = 25 °C IC 20 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 20 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC = 25°C Ptot 100 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current Tc = 80 °C IF 10 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 20 A
prepared by: Andreas Schulz date of publication:29.03.2001
approved by: Robert Severin revision: 6
1(11)
DB-PIM-10 (2).xls
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM15GP120
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage VRRM 1600 V
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip IFRMSM 40 A
Dauergleichstrom
DC forward current TC = 80°C Id 15 A
Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = 25°C IFSM 300 A
surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C 230 A
Grenzlastintegral tP = 10 ms, Tvj = 25°C I2t 450 A2s
I2t - value tP = 10 ms, Tvj = 150°C 260 A2s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 80 °C IC,nom. 15 A
DC-collector current TC = 25 °C IC 35 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80 °C ICRM 30 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC = 25°C Ptot 180 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current Tc = 80 °C IF 15 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 30 A
Grenzlastintegral
I2t - value VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C I
2t 125 A2s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 10 A
DC-collector current TC = 25 °C IC 20 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 20 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC = 25°C Ptot 100 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current Tc = 80 °C IF 10 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 20 A
prepared by: Andreas Schulz date of publication:29.03.2001
approved by: Robert Severin revision: 6
1(11)
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