Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM15GD120DLC E3224
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80 °C I
C,nom. 15 A
DC-collector current
T
C
= 25 °C I
C 35 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C I
CRM 30 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor P
tot 145 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F 15 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms I
FRM 30 A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t 93 A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
I
C
= 15A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C V
CE sat - 2,1 2,6 V
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 15A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125° - 2,4 2,9 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 0,6mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C V
GE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V...+15V Q
G - 0,16 - µC
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V C
ies -1-nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V C
res - 0,07 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C I
CES -276µA
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125° - 200 - µA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C I
GES - - 400 nA
prepared by: Mark Münzer date of publication: 09.09.1999
approved by: M. Hierholzer revision: 2
1(8) Seriendatenblatt_BSM15GD120DLC-E3224.xls