BR100/031LLD
器件描述:Surface mount bidirectional Silicon-Trigger-Diodes (DIAC)
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器件资料摘要:
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
392 28.02.2002
BR 100/03 LLD ... BR 100/04 LLD
Surface mount bidirectional Bidirektionale Silizium-Trigger-Dioden
Silicon-Trigger-Diodes (DIAC) für die Oberflächenmontage (DIAC)
Breakover voltage 28 ... 45 V
Durchbruchsspannung
Plastic case MiniMELF SOD-80
Kunststoffgehäuse MiniMELF DO-213AA
Weight approx. Gewicht ca. 0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings Grenzwerte
Power dissipation Verlustleistung T
A
= 50 g47CP
tot
150 mW
1
)
Repetitive peak forward current t g35 20 g58sI
FRM
2 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T
j
50
+100g47C
Storage temperature Lagerungstemperatur T
S
50
+150g47C
Characteristics Kennwerte
Breakdown voltage dV/dt = 10V/g58s BR 100/03 LLD V
BO
28 ... 36 V
Durchbruchspannung BR 100/031 LLD V
BO
30 ... 34 V
BR 100/04 LLD V
BO
35 ... 45 V
Breakdown current Durchbruchstrom V = 98 % V
BO
I
BO
< 50 g58A
Asymmetry of breakdown voltage *V
(BO)F
- V
(BO)R
* g41V
BO
< 3.8 V
Unsymmetrie der Durchbruchspannug
Foldback voltage Spannungs-Rücksprung dV/dt = 10V/g58s g41V
F/R
> 5 V
g41I = I
BO
to/auf I
F
= 10 mA
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 300 K/W
1
)
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft