BR100/03DO-41
器件描述:Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)
文件大小:250.17KB,共2页
Sponsor by e络盟
器件资料摘要:
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
394 28.02.2002
BR 100/03 DO-41 ... BR 100/04 DO-41
Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC) Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)
Breakdown voltage 28 ... 45 V
Durchbruchsspannung
Peak pulse current Max. Triggerimpuls ± 2 A
Plastic case DO-41
Kunststoffgehäuse DO-204AL
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Weight approx. Gewicht ca. 0.13 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped in ammo pack see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
Maximum ratings Grenzwerte
Power dissipation Verlustleistung T
A
= 50 g47CP
tot
150 mW
1
)
Peak pulse current (120 pulse repetition rate) t
P
g35 10 g58sI
PM
± 2 A
1
)
Max. Triggerstrom (120 Impulse)
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T
j
40
+100g47C
Storage temperature Lagerungstemperatur T
S
40
+150g47C
Characteristics Kennwerte
Breakdown voltage dV/dt = 10V/g58s BR 100/03 DO-41 V
BO
28 ... 36 V
Durchbruchspannung BR 100/031 DO-41 V
BO
30 ... 34 V
BR 100/04 DO-41 V
BO
35 ... 45 V
Breakdown current Durchbruchstrom V = 98 % V
BO
I
BO
< 50 g58A
Asymmetry of breakdown voltage *V
(BO)F
- V
(BO)R
* g41V
BO
< 3.8 V
Unsymmetrie der Durchbruchspannug
Foldback voltage Spannungs-Rücksprung dV/dt = 10V/g58s g41V
F/R
> 5 V
g41I = I
BR
to/auf I
F
= 10 mA
Thermal resistance junction to ambient air R
thA
< 0.3 K/mW
1
)
Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft