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BFP180W
EEWorld咨询电话:82357002,82350740-8068 邮件咨询:datasheet@eeworld.com.cn
器件描述:NPN Silicon RF Transistor
器件厂商:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商主页:http://www.infineon.com/
文件大小:117.46KB
文件页数:7
PDF阅读:BFP180W.pdf  (点击阅读器件资料)

摘要:
BFP 180W
Oct-12-19991
NPN Silicon RF Transistor
G01 For low-power amplifier in mobile
communication systems (pager) at collector
currents from 0.2 mA to 2.5 mA
f
T
= 7 GHz
G01 F = 2.1 dB at 900 MHz
VPS05605
4
2
1
3
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Pin Configuration Package
BFP 180W RDs 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343
Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit
Collector-emitter voltage
V
CEO
8 V
Collector-emitter voltage
V
CES
10
Collector-base voltage
V
CBO
10
Emitter-base voltage
V
EBO
2
Collector current
I
C
4 mA
Base current
I
B
0.5
Total power dissipation, T
S
G01G02126°C
1)
P
tot
30 mW
Junction temperature
T
j
150 °C
Ambient temperature
T
A
-65 ... 150
Storage temperature
T
stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point
R
thJS
G01 785
K/W
1
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

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