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BFP181R
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：NPN Silicon RF Transistor 器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG] 厂商主页：http://www.infineon.com/ 文件大小：88.12KB 文件页数：7 PDF阅读：BFP181R.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： BFP181R Jun-21-20011 NPN Silicon RF Transistor G01 For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA G01 f T = 8 GHz F = 1.45 dB at 900 MHz ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BFP181R RFs 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT143R Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-emitter voltage V CEO 12 V Collector-emitter voltage V CES 20 Collector-base voltage V CBO 20 Emitter-base voltage V EBO 2 Collector current I C 20 mA Base current I B 2 Total power dissipation T S G01 75 °C 1) P tot 175 mW Junction temperature T j 150 °C Ambient temperature T A -65 ... 150 Storage temperature T stg -65 ... 150 Thermal Resistance Junction - soldering point 2) R thJS G01 430 K/W 1 T S is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb 2 For calculation of R thJA please refer to Application Note Thermal Resistance 相关器件：

BFP181R

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器件描述：NPN Silicon RF Transistor
器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商主页：http://www.infineon.com/
文件大小：88.12KB
文件页数：7
PDF阅读：BFP181R.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
BFP181R
Jun-21-20011
NPN Silicon RF Transistor
G01 For low noise, high-gain broadband amplifiers at
collector currents from 0.5 mA to 12 mA
G01 f
T
= 8 GHz
F = 1.45 dB at 900 MHz
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Pin Configuration Package
BFP181R RFs 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B
SOT143R
Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit
Collector-emitter voltage
V
CEO
12 V
Collector-emitter voltage
V
CES
20
Collector-base voltage
V
CBO
20
Emitter-base voltage
V
EBO
2
Collector current
I
C
20 mA
Base current
I
B
2
Total power dissipation
T
S
G01 75 °C
1)
P
tot
175 mW
Junction temperature
T
j
150 °C
Ambient temperature
T
A
-65 ... 150
Storage temperature
T
stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point
2)
R
thJS
G01 430
K/W
1
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
2
For calculation of R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance

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应用设计: 基于ARM和蓝牙的无线信号采集系统的设计与实现; 基于单片机和GPRS的矿区铁路道口监测系统; 基于MSP430单片机的开关稳压电源设计; 基于嵌入式系统的虚拟仪器设计; 基于80C51微处理器的OLED模块设计; 嵌入式阵列处理器的发展现状及前景; 广泛应用于未来一代汽车的高亮LED照明方案; 利用微控制器进行网络通信的网卡配置; 基于MCU的家庭防盗报警系统的设计与应用; 基于FPGA的UART接口开发

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