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BFP180
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2 to 2.5mA) 器件厂商：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] 厂商主页：http://www.infineon.com/ 文件大小：76.1KB 文件页数：8 PDF阅读：BFP180.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： Semiconductor Group 1 Nov-22-1996 BFP 180 NPN Silicon RF Transistor ? For low-power amplifiers in mobile communication systems (pager) at collector currents from 0.2 to 2.5mA f T = 7GHz ? F = 2.1dB at 900MHz ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 180 RDs Q62702-F1377 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage V CEO 8 V Collector-emitter voltage V CES 10 Collector-base voltage V CBO 10 Emitter-base voltage V EBO 2 Collector current I C 4 mA Base current I B 0.5 Total power dissipation T S ≤ 124 °C P tot 30 mW Junction temperature T j 150 °C Ambient temperature T A - 65 ... + 150 Storage temperature T stg - 65 ... + 150 Thermal Resistance Junction - soldering point 1) R thJS ≤ 875 K/W 1) T S is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb. 相关器件：Q62702-F1377

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器件描述：NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2 to 2.5mA)
器件厂商：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
厂商主页：http://www.infineon.com/
文件大小：76.1KB
文件页数：8
PDF阅读：BFP180.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
Semiconductor Group 1 Nov-22-1996
BFP 180
NPN Silicon RF Transistor
? For low-power amplifiers in mobile
communication systems (pager) at collector
currents from 0.2 to 2.5mA
f
T
= 7GHz
? F = 2.1dB at 900MHz
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package
BFP 180 RDs Q62702-F1377 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143
Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage V
CEO
8 V
Collector-emitter voltage V
CES
10
Collector-base voltage V
CBO
10
Emitter-base voltage V
EBO
2
Collector current I
C
4 mA
Base current I
B
0.5
Total power dissipation
T
S
≤ 124 °C
P
tot
30
mW
Junction temperature T
j
150 °C
Ambient temperature T
A
- 65 ... + 150
Storage temperature T
stg
- 65 ... + 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point
1)
R
thJS
≤ 875 K/W
1) T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.

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