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BFN20
EEWorld咨询电话:82357002,82350740-8068 邮件咨询:datasheet@eeworld.com.cn
器件描述:NPN Silicon High-Voltage Transistor (Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage)
器件厂商:SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
厂商主页:http://www.infineon.com/
文件大小:128.77KB
文件页数:4
PDF阅读:BFN20.pdf  (点击阅读器件资料)

摘要:
Semiconductor Group 1
NPN Silicon High-Voltage Transistor BFN 20
Maximum Ratings
Type Ordering Code
(tape and reel)
Marking Package
1)
Pin Configuration
BFN 20 Q62702-F1058DC SOT-89B C E
1 2 3
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage VCE0 300 V
Collector-base voltage VCB0 300
Collector-emitter voltage, RBE = 2.7 k? VCER 300
Collector current IC 50 mA
Total power dissipation, TS = 120 ?C Ptot 1W
Junction temperature Tj 150 ?C
Storage temperature range Tstg – 65 … + 150
Thermal Resistance
Junction - ambient
2)
Rth JA ≤ 90 K/W
Junction - soldering point Rth JS ≤ 30
Emitter-base voltage VEB0 5
Peak collector current ICM 100
1)
For detailed information see chapter Package Outlines.
2)
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm
2
Cu.
a71 Suitable for video output stages in TV sets
and switching power supplies
a71 High breakdown voltage
a71 Low collector-emitter saturation voltage
a71 Low capacitance
a71 Complementary type: BFN 21 (PNP)
5.91

相关器件:Q62702-F1058

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