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BFG67
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：Silicon NPN Planar RF Transistor 器件厂商：VISAY [Vishay Siliconix] 厂商主页：http://www.vishay.com 文件大小：38.2KB 文件页数：4 PDF阅读：BFG67.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： BFG67 Vishay Telefunken www.vishay.de ? FaxBack +1-408-970-5600 Rev. 1, 11-Nov-99 1 (4) Document Number 85074 Silicon NPN Planar RF Transistor Electrostatic sensitive device. Observe precautions for handling. Applications Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. This transistor has superior noise figure and associated gain performance at UHF, VHF and microwave frequencies. Features C0068 Small feedback capacitance C0068 Low noise figure C0068 High transition frequency 13 579 21 43 94 9279 BFG67 Marking: V3 Plastic case (SOT 143) 1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter, 4 = Emitter Absolute Maximum Ratings T amb = 25C0095C, unless otherwise specified Parameter Test Conditions Symbol Value Unit Collector-base voltage V CBO 20 V Collector-emitter voltage V CEO 10 V Emitter-base voltage V EBO 2.5 V Collector current I C 50 mA Total power dissipation T amb ≤ 60 C0176C P tot 200 mW Junction temperature T j 150 C0176C Storage temperature range T stg –65 to +150 C0176C Maximum Thermal Resistance T amb = 25C0095C, unless otherwise specified Parameter Test Conditions Symbol Value Unit Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm 3 plated with 35C0109m Cu R thJA 450 K/W 相关器件：

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器件描述：Silicon NPN Planar RF Transistor
器件厂商：VISAY [Vishay Siliconix]
厂商主页：http://www.vishay.com
文件大小：38.2KB
文件页数：4
PDF阅读：BFG67.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
BFG67
Vishay Telefunken
www.vishay.de ? FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 1, 11-Nov-99 1 (4)
Document Number 85074
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. This
transistor has superior noise figure and associated
gain performance at UHF, VHF and microwave
frequencies.
Features
C0068 Small feedback capacitance
C0068 Low noise figure
C0068 High transition frequency
13 579
21
43
94 9279
BFG67 Marking: V3
Plastic case (SOT 143)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter, 4 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25C0095C, unless otherwise specified
Parameter Test Conditions Symbol Value Unit
Collector-base voltage V
CBO
20 V
Collector-emitter voltage V
CEO
10 V
Emitter-base voltage V
EBO
2.5 V
Collector current I
C
50 mA
Total power dissipation T
amb
≤ 60 C0176C P
tot
200 mW
Junction temperature T
j
150 C0176C
Storage temperature range T
stg
–65 to +150 C0176C
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25C0095C, unless otherwise specified
Parameter Test Conditions Symbol Value Unit
Junction ambient on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35C0109m Cu
R
thJA
450 K/W

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应用设计: 基于ARM和蓝牙的无线信号采集系统的设计与实现; 基于单片机和GPRS的矿区铁路道口监测系统; 基于MSP430单片机的开关稳压电源设计; 基于嵌入式系统的虚拟仪器设计; 基于80C51微处理器的OLED模块设计; 嵌入式阵列处理器的发展现状及前景; 广泛应用于未来一代汽车的高亮LED照明方案; 利用微控制器进行网络通信的网卡配置; 基于MCU的家庭防盗报警系统的设计与应用; 基于FPGA的UART接口开发

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