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BFG235
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：NPN Silicon RF Transistor 器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG] 厂商主页：http://www.infineon.com/ 文件大小：99.65KB 文件页数：6 PDF阅读：BFG235.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： BFG 235 Oct-27-19991 NPN Silicon RF Transistor G01 For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunication systems up to 2 GHz at collector currents from 120 mA to 250 mA G01 Power amplifiers for DECT and PCN systems G01 Integrated emitter ballast resistor G01 f T = 5.5 GHz VPS05163 1 2 3 4 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BFG 235 BFG235 1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-emitter voltage V CEO 15 V Collector-emitter voltage V CES 25 Collector-base voltage V CBO 25 Emitter-base voltage V EBO 2 Collector current I C 300 mA Base current I B 40 Total power dissipation, T S G01 80 °C F) P tot 2 W Junction temperature T j 150 °C Ambient temperature T A -65 ... 150 Storage temperature T stg -65 ... 150 Thermal Resistance Junction - soldering point R thJS G01 35 K/W 1 T S is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb 相关器件：

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器件描述：NPN Silicon RF Transistor
器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商主页：http://www.infineon.com/
文件大小：99.65KB
文件页数：6
PDF阅读：BFG235.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
BFG 235
Oct-27-19991
NPN Silicon RF Transistor
G01 For low-distortion broadband output amplifier
stages in antenna and telecommunication
systems up to 2 GHz at collector currents from
120 mA to 250 mA
G01 Power amplifiers for DECT and PCN systems
G01 Integrated emitter ballast resistor
G01 f
T
= 5.5 GHz
VPS05163
1
2
3
4
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Pin Configuration Package
BFG 235 BFG235 1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT-223
Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit
Collector-emitter voltage V
CEO
15 V
Collector-emitter voltage V
CES
25
Collector-base voltage V
CBO
25
Emitter-base voltage V
EBO
2
Collector current I
C
300 mA
Base current I
B
40
Total power dissipation, T
S
G01 80 °C
F)
P
tot
2 W
Junction temperature T
j
150 °C
Ambient temperature T
A
-65 ... 150
Storage temperature T
stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point R
thJS
G01 35
K/W
1
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

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