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BFG196
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：NPN Silicon RF Transistor 器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG] 厂商主页：http://www.infineon.com/ 文件大小：60.07KB 文件页数：6 PDF阅读：BFG196.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： BFG196 Jun-27-20011 NPN Silicon RF Transistor G01 For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunication systems up to 1.5 GHz at collector currents from 20 mA to 80 mA G01 Power amplifier for DECT and PCN Systems G01 f T = 7.5 GHz F = 1.5 dB at 900 GHz VPS05163 1 2 3 4 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BFG196 BFG196 1 = E 2 = B 3 = E 4 = C SOT223 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Collector-emitter voltage V CEO 12 V Collector-emitter voltage V CES 20 Collector-base voltage V CBO 20 Emitter-base voltage V EBO 2 Collector current I C 100 mA Base current I B 12 Total power dissipation T S G01 90 °C 1) P tot 800 mW Junction temperature T j 150 °C Ambient temperature T A -65 ... 150 Storage temperature T stg -65 ... 150 Thermal Resistance Junction - soldering point 2) R thJS G01 75 K/W 1 T S is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb 2 For calculation of R thJA please refer to Application Note Thermal Resistance 相关器件：

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器件描述：NPN Silicon RF Transistor
器件厂商：INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商主页：http://www.infineon.com/
文件大小：60.07KB
文件页数：6
PDF阅读：BFG196.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
BFG196
Jun-27-20011
NPN Silicon RF Transistor
G01 For low noise, low distortion broadband
amplifiers in antenna and telecommunication
systems up to 1.5 GHz at collector currents from
20 mA to 80 mA
G01 Power amplifier for DECT and PCN Systems
G01 f
T
= 7.5 GHz
F = 1.5 dB at 900 GHz
VPS05163
1
2
3
4
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!
Type Marking Pin Configuration Package
BFG196 BFG196 1 = E 2 = B 3 = E 4 = C
SOT223
Maximum Ratings
Parameter Symbol Value Unit
Collector-emitter voltage V
CEO
12 V
Collector-emitter voltage V
CES
20
Collector-base voltage V
CBO
20
Emitter-base voltage V
EBO
2
Collector current I
C
100 mA
Base current I
B
12
Total power dissipation
T
S
G01 90 °C
1)
P
tot
800 mW
Junction temperature T
j
150 °C
Ambient temperature T
A
-65 ... 150
Storage temperature T
stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point
2)
R
thJS
G01 75
K/W
1
T
S
is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
2
For calculation of R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance

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