1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0077C0101C0100C0105C0117C0109C0045C0080C0111C0119C0101C0114
C0067C0111C0109C0112C0108C0101C0109C0101C0110C0116C0097C0114C0121 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114C0115
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
• High DC Current Gain —
h
FE
= 2500 (Typ) @ I
C
= 4.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
V
CEO(sus)
= 80 Vdc (Min) — BDX53B, 54B
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min) — BDX53C, 54C
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 2.0 Vdc (Max) @ I
C
= 3.0 Adc
V
CE(sat)
= 4.0 Vdc (Max) @ I
C
= 5.0 Adc
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
• TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BDX53B
BDX54B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BDX53C
BDX54C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
8.0
12
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
0.2
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
60
0.48
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
R
θJA
ÎÎÎÎÎÎ
70
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
70
ÎÎÎ
C0095C/W
80
40
20
0
20 40 80 100 120 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
60
T
A
T
C
4.0
2.0
1.0
3.0
0 60 140
T
A
T
C
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BDX53B/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0088C0053C0051C0066
C0066C0068C0088C0053C0051C0067
C0066C0068C0088C0053C0052C0066
C0066C0068C0088C0053C0052C0067
DARLINGTON
8 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
80–100 VOLTS
65 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
C0078C0080C0078
C0080C0078C0080
REV 7