1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0067C0111C0109C0112C0108C0101C0109C0101C0110C0116C0097C0114C0121 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099
C0080C0111C0119C0101C0114 C0068C0097C0114C0108C0105C0110C0103C0116C0111C0110C0115
. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica-
tions.
• High DC Current Gain
HFE = 1000 (min.) @ 5 Adc
• Monolithic Construction with Built–in Base Emitter Shunt Resistors
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
10
20
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
125
1.0
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
C0095C/W
1.0
0.8
0
0 25 50 100 125 150
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
DERA
TING F
ACT
OR
75
0.4
0.6
0.2
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BDV65B/D
 Motorola, Inc. 1996
C0066C0068C0086C0054C0053C0066
C0066C0068C0086C0054C0052C0066
DARLINGTONS
10 AMPERES
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60–80–100–120 VOLTS
125 WATTS
CASE 340D–02
SOT 93, TO–218 TYPE
C0078C0080C0078
C0080C0078C0080
REV 8