• 密码:
  • 免费NewsLetter申请
  • 设为首页
  • 汽车电子
  • 手机/便携
  • 数字电视
  • 网络通信
  • 工业控制
  • 测试测量
  • 计算机
  • 安防电子
  • 医疗电子
  • 论坛
  • 博客
  • 资源中心

3,000,000器件资料库等你来搜

元器件厂商按字母排序

BDP948
EEWorld咨询电话:82357002,82350740-8068 邮件咨询:datasheet@eeworld.com.cn
器件描述:PNP Silicon AF Power Transistors
器件厂商:INFINEON [Infineon Technologies AG]
厂商主页:http://www.infineon.com/
文件大小:44.46KB
文件页数:4
PDF阅读:BDP948.pdf  (点击阅读器件资料)

摘要:
BDP948, BDP950
1 Jul-06-2001
PNP Silicon AF Power Transistors
G01 For AF driver and output stages
G01 High collector current
G01 High current gain
G01 Low collector-emitter saturation voltage
G01 Complementary types: BDP947, BDP949 (NPN)
VPS05163
1
2
3
4
Type Marking Pin Configuration Package
BDP948
BDP950
BDP 948
BDP 950
1 = B
1 = B
2 = C
2 = C
3 = E
3 = E
4 = C
4 = C
SOT223
SOT223
Maximum Ratings
Parameter Symbol
BDP948 BDP950
Unit
Collector-emitter voltage V
CEO
45 60 V
Collector-base voltage V
CBO
45 60
Emitter-base voltage V
EBO
5 5
DC collector current I
C
3 A
Peak collector current I
CM
5
Base current I
B
200 mA
Peak base current I
BM
500
Total power dissipation, T
S
= 99 °C P
tot
3 W
Junction temperature T
j
150 °C
Storage temperature T
stg
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point
1)
R
thJS
G0117 K/W
1
For calculation of R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance

相关器件:BDP950

元器件厂商按字母排序


关于我们 - 广告合作 - 联系方式 - 给我们建议 - 器件索引

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座506 电话:(010)82350740

电子工程世界 版权所有 京ICP证 060456

Copyright ? 2005-2007 EEWorld.com.cn, Inc. All rights reserved