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BDP948
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：PNP Silicon AF Power Transistor (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) 器件厂商：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] 厂商主页：http://www.infineon.com/ 文件大小：39.93KB 文件页数：4 PDF阅读：BDP948.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： Semiconductor Group 1 Nov-28-1996 BDP 948 PNP Silicon AF Power Transistor ? For AF drivers and output stages ? High collector current ? High current gain ? Low collector-emitter saturation voltage ? Complementary type: BDP947, BDP949 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BDP 948 BDP 948 Q62702-D1336 1 = B 2 = C 3 = E 4 = C SOT-223 BDP 950 BDP 950 Q62702-D1338 1 = B 2 = C 3 = E 4 = C SOT-223 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage BDP 948 BDP 950 V CEO 60 45 V Collector-base voltage BDP 948 BDP 950 V CBO 60 45 Emitter-base voltage V EBO 5 DC collector current I C 3 A Peak collector current I CM 5 Base current I B 200 mA Peak base current I BM 500 Total power dissipation, T S = 99°C P tot 3 W Junction temperature T j 150 °C Storage temperature T stg - 65 ... + 150 Thermal Resistance Junction ambient 1) R thJA ≤ 42 K/W Junction - soldering point R thJS ≤ 17 1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm 2 Cu 相关器件：Q62702-D1336 Q62702-D1338 BDP950

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器件描述：PNP Silicon AF Power Transistor (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)
器件厂商：SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
厂商主页：http://www.infineon.com/
文件大小：39.93KB
文件页数：4
PDF阅读：BDP948.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
Semiconductor Group 1 Nov-28-1996
BDP 948
PNP Silicon AF Power Transistor
? For AF drivers and output stages
? High collector current
? High current gain
? Low collector-emitter saturation voltage
? Complementary type: BDP947, BDP949 (NPN)
Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package
BDP 948 BDP 948 Q62702-D1336 1 = B 2 = C 3 = E 4 = C SOT-223
BDP 950 BDP 950 Q62702-D1338 1 = B 2 = C 3 = E 4 = C SOT-223
Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage
BDP 948
BDP 950
V
CEO
60
45
V
Collector-base voltage
BDP 948
BDP 950
V
CBO
60
45
Emitter-base voltage V
EBO
5
DC collector current I
C
3 A
Peak collector current I
CM
5
Base current I
B
200 mA
Peak base current I
BM
500
Total power dissipation, T
S
= 99°C P
tot
3 W
Junction temperature T
j
150 °C
Storage temperature T
stg
- 65 ... + 150
Thermal Resistance
Junction ambient
1)
R
thJA
≤ 42 K/W
Junction - soldering point R
thJS
≤ 17
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm
2
Cu

相关器件：Q62702-D1336 Q62702-D1338 BDP950

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