1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0072C0105C0103C0104 C0080C0111C0119C0101C0114 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0080C0078C0080 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
• DC Current Gain — h
FE
= 30 (Min) @ I
C
= 2.0 Adc
• BD 808, 810 are complementary with BD 807, 890
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Type
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD808
BD810
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
60
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD808
BD810
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
70
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
90
720
ÎÎÎ
Watts
mW/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
1.39
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25C0095C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Type
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(I
C
= 0.1 Adc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BV
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
BD808
BD810
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 70 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
BD808
BD810
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 4.0 A, V
CE
= 2.0 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
30
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
1.1
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage*
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MHz
* Pulse Test: Pulse Width C0120 300 µs, Duty Cycle C0120 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD808/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0056C0048C0056
C0066C0068C0056C0049C0048
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
60, 80 VOLTS
90 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 221A–06
TO–220AB
C0042
REV 7