Plastic High Power Silicon
Transistor
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing
complementary or quasi complementary circuits.
• DC Current Gain —
h
FE
= 30 (Min) @ I
C
= 2.0 Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎ
90
720
ÎÎÎÎ
Watts
mW/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
1.39
ÎÎÎ
C/W
ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 1
1 Publication Order Number:
BD809/D
BD809
BD810
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
60, 80 VOLTS
90 WATTS
CASE 221A–09
TO–220AB
NPN
PNP
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
1
2
3
4