1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0072C0105C0103C0104 C0080C0111C0119C0101C0114 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0080C0078C0080 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for use up to 30 Watt audio amplifiers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
• DC Current Gain — h
FE
= 40 (Min) @ I
C
= 1.0 Adc
• BD802 is complementary with BD 795, 797, 799, 801
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎ
8.0
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
65
522 ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
mW/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
1.92
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25C0095C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(I
C
= 0.05 Adc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
BV
CEO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 100 Vdc, I
E
= 0)
ÎÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 3.0 A, V
CE
= 2.0 V)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
30
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
ÎÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage*
(I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc) ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.6
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
(I
C
= 0.25 Adc, V
CE
= 10 Vdc,
f = MHz)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
MHz
* Pulse Test: Pulse Width C0120 300 µs, Duty Cycle C0120 2.0.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD802/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0056C0048C0050
8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
100 VOLTS
65 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
REV 7