1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0068C0097C0114C0108C0105C0110C0103C0116C0111C0110
C0067C0111C0109C0112C0108C0101C0109C0101C0110C0116C0097C0114C0121 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0111C0119C0101C0114
C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114C0115
. . . designed for general purpose amplifier and high–speed switching applications.
• High DC Current Gain
h
FE
= 1400 (Typ) @ I
C
= 2.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 10 mAdc
V
CEO(sus)
= 45 Vdc (Min) — BD776
V
CEO(sus)
= 60 Vdc (Min) — BD777, 778
V
CEO(sus)
= 80 Vdc (Min) — BD780
• Reverse Voltage Protection Diode
• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter output Resistor
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD776
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BD777
BD778
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD780
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
45
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
45
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current —
Continuous Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
6.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
Base Current I
B
100 mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
T
C
= 25C0095C – Derate above 25C0095C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
15
0.12
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristics
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
8.34
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
R
θJA
ÎÎÎÎÎÎ
83.3
ÎÎÎ
C0095C/W
16
12
0
20 40 60 100 120 140 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
80
4.0
8.0
1.6
1.2
0
0.4
0.8
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
T
A
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD777/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0055C0055C0055
C0066C0068C0055C0055C0054
C0066C0068C0055C0055C0056
C0066C0068C0055C0056C0048
DARLINGTON
4–AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
45, 60, 80 VOLTS
15 WATTS
*Motorola Preferred Device
C0042
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
C0078C0080C0078
C0080C0078C0080
REV 7