1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0077C0101C0100C0105C0117C0109C0045C0080C0111C0119C0101C0114
C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0078C0080 C0068C0097C0114C0108C0105C0110C0103C0116C0111C0110C0115
. . . for use as output devices in complementary general–purpose amplifier applica-
tions.
• High DC Current Gain —
h
FE
= 750 (Min) @ I
C
= 1.5 and 2.0 Adc
• Monolithic Construction
• BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 are complementary with BD675, 675A,
677, 677A, 679, 679A, 681
• BD 678, 678A, 680, 680A are equivalent to MJE 700, 701, 702, 703
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATING
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BD676
BD676A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD678
BD678A
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
BD680
BD680A
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD682
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎ
45
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎ
45
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ T
C
= 25 C0095C
Derate above 25 C0095C ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32 ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperating Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095CÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
3.13
ÎÎÎ
C0095C/W
50
40
10
5.0
0
15 30 45 60 75 105 135 150 165
Figure 1. Power Temperature Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
12090
45
20
15
30
25
35
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD676/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0054C0055C0054
C0066C0068C0054C0055C0054C0065
C0066C0068C0054C0055C0056
C0066C0068C0054C0055C0056C0065
C0066C0068C0054C0056C0048
C0066C0068C0054C0056C0048C0065
C0066C0068C0054C0056C0050
4.0 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
45, 60, 80, 100 VOLTS
40 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7