1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0067C0111C0109C0112C0108C0101C0109C0101C0110C0116C0097C0114C0121 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099
C0080C0111C0119C0101C0114 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114C0115
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
• Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE
= 1.2 Vdc (Max) @ I
C
= 3.0 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 80 Vdc (Min.) BD242B
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C
• High Current Gain — Bandwidth Product
f
T
= 3.0 MHz (Min) @ I
C
= 500 mAdc
• Compact TO–220 AB Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD242B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD241C
BD242C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CES
ÎÎÎÎ
90
ÎÎÎÎ
115
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
3.0
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
R
θJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
3.125
ÎÎ
ÎÎÎ
C0095C/W
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
, POWER DISSIP
A
TION (W
A
TTS)
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD241C/D
 Motorola, Inc. 1998
C0066C0068C0050C0052C0049C0067
C0066C0068C0050C0052C0050C0066
C0066C0068C0050C0052C0050C0067
3 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
80, 100 VOLTS
40 WATTS
*Motorola Preferred Device
C0042
C0042
CASE 221A–09
TO–220AB
C0078C0080C0078
C0080C0078C0080