1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0077C0101C0100C0105C0117C0109 C0080C0111C0119C0101C0114 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0078C0080C0078 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for use in 5.0 to 10 Watt audio amplifiers and drivers utilizing
complementary or quasi complementary circuits.
• DC Current Gain — h
FE
= 40 (Min) @ I
C
= 0.15 Adc
• BD179 is complementary with BD180
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
30
240 ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
mw/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
4.16
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25C0095C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(I
C
= 0.1 Adc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
(BR)CEO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
ÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 0.15 A, V
CE
= 2.0 V) BD179–10
(I
C
= 1.0 A, V
CE
= 2.0 V) ALL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
63
15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
160
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
0.8
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage*
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain – Bandwidth Product
(I
C
= 250 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MHz
* Pulse Test: Pulse Width C0120 300 As, Duty Cycle C0120 2.0%.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD179/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0049C0055C0057
C0066C0068C0049C0055C0057C0045C0049C0048
3.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
80 VOLTS
30 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7