1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0077C0101C0100C0105C0117C0109 C0080C0111C0119C0101C0114 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0080C0078C0080 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
• DC Current Gain — h
FE
= 40 (Min) @ I
C
= 0.15 Adc
• BD166 is complementary with BD165
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
45
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎÎ
45
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
A
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
1.25
10 ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
mW/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
20
160
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
mW/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
6.25
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
θ
JA
ÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25C0095C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(I
C
= 0.1 Adc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎÎ
V
(BR)CEO
ÎÎÎÎÎ
45
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 45 Vdc, I
E
= 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 0. 15 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 0.5 A, V
CE
= 2.0 V)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
40
15
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(I
C
= 0.5 Adc, I
B
= 0.05 Adc) ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
CE(sat)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage*
(I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
BE(on)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
0.95
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 2.0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
f
T
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
MHz
* Pulse Test: Pulse Width C0120 300 µs, Duty Cycle C0120 2.0%.
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD166/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0049C0054C0054
1.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON
45 VOLTS
20 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7