1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0077C0101C0100C0105C0117C0109 C0080C0111C0119C0101C0114 C0078C0080C0078
C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for power output stages for television, radio, phonograph and other
consumer product applications.
• Suitable for Transformerless, Line–Operated Equipment
• ThermopadC0123 Construction Provides High Power Dissipation Rating for High
Reliability
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎ
375
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
0.5
1.0
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎ
0.25
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
20
0.16
ÎÎÎ
Watts
W/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
ÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎ
6.25
ÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
C
= 25C0095C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BV
CEO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
350
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(At rated voltage)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
CBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
ÎÎÎÎ
I
EBO
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
h
FE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
30
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
240
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD159/D
 Motorola, Inc. 1998
C0066C0068C0049C0053C0057
0.5 AMPERE
POWER TRANSISTOR
NPN SILICON
350 VOLTS
20 WATTS
CASE 77–09
TO–225AA TYPE