1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C0080C0108C0097C0115C0116C0105C0099 C0077C0101C0100C0105C0117C0109 C0080C0111C0119C0101C0114 C0083C0105C0108C0105C0099C0111C0110
C0078C0080C0078 C0084C0114C0097C0110C0115C0105C0115C0116C0111C0114
. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi
complementary circuits.
• DC Current Gain — h
FE
= 40 (Min) @ I
C
= 0.15 Adc
• BD 135, 137, 139 are complementary with BD 136, 138, 140
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Type
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BD 135
BD 137
BD 139
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
45
60
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
V
CBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
BD 135
BD 137
BD 139
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
45
60
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
V
EBO
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
A
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.25
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watts
mW/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25C0095C
Derate above 25C0095C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
12.5
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Watt
mW/C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎÎ
C0095C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎ
θ
JC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
C0095C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎÎÎ
θ
JA
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
C0095C/W
C0077C0079C0084C0079C0082C0079C0076C0065
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by BD135/D
 Motorola, Inc. 1995
C0066C0068C0049C0051C0053
C0066C0068C0049C0051C0055
C0066C0068C0049C0051C0057
1.5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
45, 60, 80 VOLTS
10 WATTS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
REV 7