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BCX19
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR 器件厂商：ZETEX [Zetex Semiconductors] 厂商主页：http://www.zetex.com/ 文件大小：36.66KB 文件页数：1 PDF阅读：BCX19.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 4 – MARCH 2001 PARTMARKING DETAILS – BCX19 - U1 BCX19R - U4 COMPLEMENTARY TYPES - BCX17 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage V CES 50 V Collector-Emitter Voltage V CEO 45 V Emitter-Base Voltage V EBO 5V Peak Pulse Current I CM 1000 mA Continuous Collector Current I C 500 mA Base Current I B 100 mA Peak Base Current I BM 200 mA Power Dissipation at T amb =25°C P TOT 330 mW Operating and Storage Temperature Range T j :T stg -55 to +150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated). PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS. Collector-Base Cut-Off Current I CBO 100 200 nA ?A V CB =20V V CB =20V, T j =150°C Emitter-Base Cut-Off Current I EBO 10 ?A V EB =5V Base-Emitter Voltage V BE 1.2 V I C =500mA, V CE =1V* Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(sat) 620 mV I C =500mA, I B =50mA* Static Forward Current Transfer Ratio h FE 100 70 40 600 I C =100mA, V CE =1V I C =300mA, V CE =1V* I C =500mA, V CE =1V* Transition Frequency f T 200 MHz I C =10mA, V CE =5V f =35MHz Output Capacitance C obo 5.0 pF V CB =10V, f =1MHz Measured under pulsed conditions. BCX19 C B E SOT23 TBA 相关器件：*BCX19R

BCX19

EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn

器件描述：NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
器件厂商：ZETEX [Zetex Semiconductors]
厂商主页：http://www.zetex.com/
文件大小：36.66KB
文件页数：1
PDF阅读：BCX19.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS – BCX19 - U1
BCX19R - U4
COMPLEMENTARY TYPES - BCX17
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Collector-Emitter Voltage V
CES
50 V
Collector-Emitter Voltage V
CEO
45 V
Emitter-Base Voltage V
EBO
5V
Peak Pulse Current I
CM
1000 mA
Continuous Collector Current I
C
500 mA
Base Current I
B
100 mA
Peak Base Current I
BM
200 mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C P
TOT
330 mW
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
-55 to +150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Cut-Off
Current
I
CBO
100
200
nA
?A
V
CB
=20V
V
CB
=20V, T
j
=150°C
Emitter-Base Cut-Off
Current
I
EBO
10 ?A V
EB
=5V
Base-Emitter Voltage V
BE
1.2 V I
C
=500mA, V
CE
=1V*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
620 mV I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
70
40
600 I
C
=100mA, V
CE
=1V
I
C
=300mA, V
CE
=1V*
I
C
=500mA, V
CE
=1V*
Transition Frequency f
T
200 MHz I
C
=10mA, V
CE
=5V
f =35MHz
Output Capacitance C
obo
5.0 pF V
CB
=10V, f =1MHz
*Measured under pulsed conditions.
BCX19
C
B
E
SOT23
TBA

相关器件：BCX19R

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