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BCX17LT1
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：General Purpose Transistors 器件厂商：LRC [Leshan Radio Company] 厂商主页：http://www.lrc-china.com/ 文件大小：51.62KB 文件页数：2 PDF阅读：BCX17LT1.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： LESHAN RADIO COMPANY, LTD. M15–1/2 General Purpose Transistors MAXIMUM RATINGS Value Rating Symbol BCX17LT1 BCX18LT1 Unit BCX19LT1 BCX20LT1 Collector–Emitter Voltage V CEO 45 25 Vdc Collector–Base Voltage V CBO 50 30 Vdc Emitter–Base Voltage V EBO 5.0 5.0 Vdc Collector Current — Continuous I C 500 500 mAdc DEVICE MARKING BCX17LT1 = T1; BCX18LT1 = T2; BCX19LT1 = U1; BCX20LT1 = U2 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) P D 225 mW T A = 25°C Derate above 25°C 1.8 mW/°C Thermal Resistance, Junction to Ambient R θJA 556 °C/W Total Device Dissipation P D 300 mW Alumina Substrate, (2) T A = 25°C Derate above 25°C 2.4 mW/°C Thermal Resistance, Junction to Ambient R θJA 417 °C/W Junction and Storage Temperature T J , T stg –55 to +150 °C 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. 1 3 2 PNP BCX17LT1 BCX18LT1 NPN BCX19LT1 BCX20LT1 Voltage and current are negative for PNP transistors CASE 318–08, STYLE 6 SOT–23 (TO–236AB) 2 EMITTER 3 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR 1 BASE 相关器件：BCX20LT1 BCX19LT1 BCX18LT1

BCX17LT1

EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn

器件描述：General Purpose Transistors
器件厂商：LRC [Leshan Radio Company]
厂商主页：http://www.lrc-china.com/
文件大小：51.62KB
文件页数：2
PDF阅读：BCX17LT1.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M15–1/2
General Purpose Transistors
MAXIMUM RATINGS
Value
Rating Symbol
BCX17LT1 BCX18LT1
Unit
BCX19LT1 BCX20LT1
Collector–Emitter Voltage V
CEO
45 25 Vdc
Collector–Base Voltage V
CBO
50 30 Vdc
Emitter–Base Voltage V
EBO
5.0 5.0 Vdc
Collector Current — Continuous I
C
500 500 mAdc
DEVICE MARKING
BCX17LT1 = T1; BCX18LT1 = T2; BCX19LT1 = U1; BCX20LT1 = U2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)
P
D
225 mW
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
1.8 mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient R
θJA
556 °C/W
Total Device Dissipation
P
D
300 mW
Alumina Substrate, (2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
2.4 mW/°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient R
θJA
417 °C/W
Junction and Storage Temperature T
J
, T
stg
–55 to +150 °C
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
1
3
2
PNP
BCX17LT1
BCX18LT1
NPN
BCX19LT1
BCX20LT1
Voltage and current are negative
for PNP transistors
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
2
EMITTER
3
COLLECTOR
1
BASE
2
EMITTER
3
COLLECTOR
1
BASE

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