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BCX17
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR 器件厂商：ZETEX [Zetex Semiconductors] 厂商主页：http://www.zetex.com/ 文件大小：37KB 文件页数：1 PDF阅读：BCX17.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR ISSUE 4 – MARCH 2001 PARTMARKING DETAILS – BCX17 – T1 BCX17R – T4 COMPLIMENTARY TYPES - BCX19 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Emitter Voltage V CES -50 V Collector-Emitter Voltage (I C =-10mA) V CEO -45 V Emitter-Base Voltage V EBO -5 V Collector Current I C -500 mA Peak Collector Current I CM -1000 mA Peak Emitter Current I EM -1000 mA Base Current I B -100 mA Peak Base Current I BM -200 mA Power Dissipation at T amb =25°C P tot 330 mW Operating and Storage Temperature Range T j :T stg -55 to +150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated). PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS. Collector-Base Cut-Off Current I CBO -100 -200 nA ?A I E =0, V CB =-20V I E =0, V CB =-20V, T j =150°C Emitter-Base Cut-Off Current I EBO -10 ?A I C =0, V EB =-1V Base-Emitter Voltage V BE -1.2 V I C =-500mA, V CE =-1V* Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(sat) -620 mV I C =-500mA, I B =-50mA* Static Forward Current Transfer Ratio h FE 100 70 40 600 I C =-100mA, V CE =-1V I C =-300mA, V CE =-1V* I C =-500mA, V CE =-1V* Transition Frequency f T 100 MHz I C =-10mA, V CE =-5V f =35MHz Output Capacitance C obo 8.0 pF V CB =-10V, f =1MHz Measured under pulsed conditions. Spice parameter data is available upon request for this device BCX17 C B E SOT23 TBA 相关器件：*BCX17R

BCX17

EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn

器件描述：PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
器件厂商：ZETEX [Zetex Semiconductors]
厂商主页：http://www.zetex.com/
文件大小：37KB
文件页数：1
PDF阅读：BCX17.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
SOT23 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS – BCX17 – T1
BCX17R – T4
COMPLIMENTARY TYPES - BCX19
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Collector-Emitter Voltage V
CES
-50 V
Collector-Emitter Voltage (I
C
=-10mA) V
CEO
-45 V
Emitter-Base Voltage V
EBO
-5 V
Collector Current I
C
-500 mA
Peak Collector Current I
CM
-1000 mA
Peak Emitter Current I
EM
-1000 mA
Base Current I
B
-100 mA
Peak Base Current I
BM
-200 mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C P
tot
330 mW
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
-55 to +150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Cut-Off
Current
I
CBO
-100
-200
nA
?A
I
E
=0, V
CB
=-20V
I
E
=0, V
CB
=-20V, T
j
=150°C
Emitter-Base Cut-Off
Current
I
EBO
-10 ?A I
C
=0, V
EB
=-1V
Base-Emitter Voltage V
BE
-1.2 V I
C
=-500mA, V
CE
=-1V*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-620 mV I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
100
70
40
600 I
C
=-100mA, V
CE
=-1V
I
C
=-300mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-1V*
Transition Frequency f
T
100 MHz I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
f =35MHz
Output Capacitance C
obo
8.0 pF V
CB
=-10V, f =1MHz
*Measured under pulsed conditions.
Spice parameter data is available upon request for this device
BCX17
C
B
E
SOT23
TBA

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