1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
4 01.11.2003
12
3
Type
Code
2.1
±0
.
1
2
±0.1
1
±0.1
1.
2
5
±0
.
1
0.3
1.3
BC 807W / BC 808W General Purpose Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
PNP
Power dissipation – Verlustleistung 225 mW
Plastic case SOT-323
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
1 = B 2 = E 3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25g47C) Grenzwerte (T
A
= 25g47C)
BC 807W BC 808W
Collector-Emitter-voltage B open - V
CE0
45 V 25 V
Collector-Emitter-voltage B shorted - V
CES
50 V 30 V
Collector-Base-voltage E open - V
CB0
50 V 30 V
Emitter-Base-voltage C open - V
EB0
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
225 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (DC) - I
C
500 mA
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom - I
CM
1000 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - I
BM
200 mA
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom I
EM
1000 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
150g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150g47C
Characteristics, T
j
= 25g47C Kennwerte, T
j
= 25g47C
Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
BC807W
BC808W
h
FE
100 – 600
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 500 mA h
FE
40 – –
- V
CE
= 1 V, - I
C
= 100 mA
Group -16W h
FE
100 160 250
Group -25W h
FE
160 250 400
Group -40W h
FE
250 400 600