1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 01.11.2003
BC 337 / BC 338 General Purpose Transistors
NPN Si-Epitaxial PlanarTransistors NPN
Power dissipation – Verlustleistung 625 mW
Plastic case TO-92
Kunststoffgehäuse (10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard Pinning
1 = C 2 = B 3 = E
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25g47C) Grenzwerte (T
A
= 25g47C)
BC 337 BC 338
Collector-Emitter-voltage B open V
CE0
45 V 25 V
Collector-Base-voltage E open V
CB0
50 V 30 V
Emitter-Base-voltage C open V
EB0
5 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
625 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (DC) I
C
800 mA
Junction temp. – Sperrschichttemperatur T
j
150g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
- 55…+ 150g47C
Characteristics (T
j
= 25g47C) Kennwerte (T
j
= 25g47C)
Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 1 V, I
C
= 100 mA
Group -16 h
FE
100 160 250
Group -25 h
FE
160 250 400
Group -40 h
FE
250 400 630
Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom
V
CE
= 40 V BC 337 I
CES
– – 200 nA
V
CE
= 20 V BC 338 I
CES
– – 200 nA
V
CE
= 40 V, T
j
= 125g47C BC 337 I
CES
– – 10 g58A
V
CE
= 20 V, T
j
= 125g47C BC 338 I
CES
– – 10 g58A