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BB804
EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn 器件描述：Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode 器件厂商：VISAY [Vishay Siliconix] 厂商主页：http://www.vishay.com 文件大小：47.4KB 文件页数：3 PDF阅读：BB804.pdf (点击阅读器件资料) 摘要： BB804 Vishay Telefunken Rev. 3, 01-Apr-99 1 (3) www.vishay.de ? FaxBack +1-408-970-5600Document Number 85554 Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode Features C0068 Common cathode Applications Tuning of separate resonant circuits, push–pull circuits in FM range, especially for car radios 94 8550 Absolute Maximum Ratings T j = 25C0095C Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit Repetitive peak reverse voltage V RRM 20 V Reverse voltage V R 18 V Forward current I F 50 mA Junction temperature T j 100 C0176C Storage temperature range T stg –55...+150 C0176C T j = 25C0095C Parameter Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit Reverse current V R =16V I R 20 nA V R =16V, T j =60C0176C I R 0.2 C0109A Diode capacitance 1 ) V R =2V, f=1MHz C D 42 47.5 pF V R =2V, f=1MHz Group 0 C D 42 43.5 pF V R =2V, f=1MHz Group 1 C D 43 44.5 pF V R =2V, f=1MHz Group 2 C D 44 45.5 pF V R =2V, f=1MHz Group 3 C D 45 46.5 pF V R =2V, f=1MHz Group 4 C D 46 47.5 pF Capacitance ratio V R =2V,8V, f=100MHz C D2 / C D8 1.65 1.75 Series resistance C D =38pF, f=100MHz r s 0.3 0.4 C0087 Figure of merit C D =38pF, f=100MHz Q 100 140 1 ) A packing unit (reel) contains diodes from one capacitance group only. Delivery of single capacitance groups available only on request. 相关器件：

BB804

EEWorld咨询电话：82357002，82350740－8068 邮件咨询：datasheet@eeworld.com.cn

器件描述：Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode
器件厂商：VISAY [Vishay Siliconix]
厂商主页：http://www.vishay.com
文件大小：47.4KB
文件页数：3
PDF阅读：BB804.pdf (点击阅读器件资料)

摘要：
BB804
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99 1 (3)
www.vishay.de ? FaxBack +1-408-970-5600Document Number 85554
Silicon Epitaxial Planar Dual Capacitance Diode
Features
C0068 Common cathode
Applications
Tuning of separate resonant circuits, push–pull circuits
in FM range, especially for car radios
94 8550
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25C0095C
Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage V
RRM
20 V
Reverse voltage V
R
18 V
Forward current I
F
50 mA
Junction temperature T
j
100 C0176C
Storage temperature range T
stg
–55...+150 C0176C
T
j
= 25C0095C
Parameter Test Conditions Type Symbol Min Typ Max Unit
Reverse current V
R
=16V I
R
20 nA
V
R
=16V, T
j
=60C0176C I
R
0.2 C0109A
Diode capacitance
1
) V
R
=2V, f=1MHz C
D
42 47.5 pF
V
R
=2V, f=1MHz Group 0 C
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V
R
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D
45 46.5 pF
V
R
=2V, f=1MHz Group 4 C
D
46 47.5 pF
Capacitance ratio V
R
=2V,8V, f=100MHz C
D2
/ C
D8
1.65 1.75
Series resistance C
D
=38pF, f=100MHz r
s
0.3 0.4 C0087
Figure of merit C
D
=38pF, f=100MHz Q 100 140
1
) A packing unit (reel) contains diodes from one capacitance group only. Delivery of single capacitance
groups available only on request.

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