1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1
2.
5
ma
x
1.
3

±0
.
1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1 2
3
Type
Code
1.9
BAV99 Small Signal Si-Diodes
Surface mount Small Signal Double-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-04-05
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage 70 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case SOT-23
Kunststoffgehäuse (TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Dimensions / Maße in mm
1 = A1 2 = K1/A2 3 = K2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
per diode / pro Diode BAV99
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
300 mA
1
)
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 ms
t
p
≤ 1 µs
I
FSM
I
FSM
I
FSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
- 55…+ 150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Forward voltage - Durchlaßspannung
2
)I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
< 715 mV
< 855 mV
< 1 V
< 1.25 V
Leakage current - Sperrstrom
2
)V
R
= 25 V
V
R
= 70 V
T
j
= 25°C
I
R
I
R
< 30 nA
2.5 µA
V
R
= 25 V
V
R
= 70 V
T
j
= 150°C
I
R
I
R
< 30 µA
< 50 µA