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BAV18

器件描述:Silicon-Planar-Diodes
器件厂商:DIOTEC [Diotec Semiconductor]
厂商主页:http://www.diotec.com/
文件大小:169.75KB,共2页
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器件资料摘要:
1
) Valid, if leads are kept at T
A
= 25g47C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf T
A
= 25g47C gehalten werden
36 01.10.2002
BAV 18 … BAV 21
Silicon-Planar-Diodes Silizium-Planar-Dioden
Nominal current 250 mA
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage 50…200 V
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case DO-35
Glasgehäuse SOD-27
Weight approx. 0.13 g
Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped in ammo pack see page 16
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 16
Marking: One black ring denotes “cathode” and “ultrafast switching device”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Kennzeichnung: Ein schwarzer Ring kennzeichnet “Kathode” und “ultraschneller
Gleichrichter”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
BAV 18 50 60
BAV 19 100 120
BAV 20 150 200
BAV 21 200 250
Max. average forward rectified current, R-load T
A
= 25g47CI
FAV
250 mA
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
650 mA
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Max. power dissipation – Verlustleistung T
A
= 25g47CP
tot
500 mW
1
)
Peak forward surge current – Stoßstrom, t g35 1 s T
j
= 25g47CI
FSM
1 A
Peak forward surge current – Stoßstrom, t = 1 g58s T
j
= 25g47CI
FSM
5 A