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BAT54AW

器件描述:Surface mount Schottky-Barrier Double-Diodes
器件厂商:DIOTEC [Diotec Semiconductor]
厂商主页:http://www.diotec.com/
文件大小:384.26KB,共2页
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器件资料摘要:
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300 g58s, duty cycle g35 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 g58s, Schaltverhältnis g35 2%
1
12
3
Type
Code
2.1
±0
.
1
2
±0.1
1
±0.1
1.
2
5
±0
.
1
0.3
1.3
BAT54W ...AW ...CW ...SW Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Double-Diodes
Schottky-Barrier Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 21.01.2004
Power dissipation – Verlustleistung 200 mW
Repetitive peak reverse voltage 30 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case SOT-323
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25g47C) Grenzwerte (T
A
= 25g47C)
per diode / pro Diode BAT54W-series
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
300 mA
1
)
Peak forward surge current t
p
g35 10 ms I
FSM
1 A
Stoßstrom-Grenzwert t
p
g35 5 g58sI
FSM
8 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
125g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
- 55…+ 150g47C
Characteristics (T
j
= 25g47C) Kennwerte (T
j
= 25g47C)
Forward voltage - Durchlaßspannung
2
)I
F
= 0.1 mA V
F
< 240 mV
I
F
= 1 mA V
F
< 320 mV
I
F
= 10 mA V
F
< 400 mV
I
F
= 30 mA V
F
< 500 mV
I
F
= 100 mA V
F
< 650 mV
Leakage current - Sperrstrom
2
)V
R
= 25 V I
R
< 2 g58A
V
R
= 30 V I
R
< 3 g58A