1)Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2)Tested with pulses t
p = 300 ••s, duty cycle •• 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 ••s, Schaltverhältnis •• 2%
1
1.1 2.9 ±0.1
0.4
1 2
3
Type
Code
1.9
BAS70 ...-04 ...-05 ...-06Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Diodenfür die Oberflächenmontage
Version 2004-04-09
Power dissipation310 mW
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage40 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic cas SOT-23
Kunststoffgehäus (TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.0.01 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25 C)Grenzwerte(TA = 25 C)
per diode / pro Diode BAS70-series
Power dissipation – VerlustleistungPtot 310 mW 1)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom IFAV 200 mA
1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA
1)
Peak forward surge current tp •• 1 s
Stoßstrom-Grenzwert IFSM 500 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung VRRM 70 V
Junction temperature – SperrschichttemperaturTj 150••C
Storage temperature – Lagerungstemperatu S - 55…+ 150••C
Characteristics (Tj = 25 C)Kennwerte (Tj = 25 C)
Forward voltage - Durchlaßspannung 2)IF = 1 mA
IF = 15 mA
VF
VF
< 410 mV
< 1000 mV
Leakage current - Sperrstrom 2)VR = 50 VIR < 100 nA