1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 :s, Schaltverhältnis # 2%
1
2.
5

ma
x
1.
3
±0
.
1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1 2
3
Type
Code
1.9
BAS40 ...-04 ...-05 ...-06 Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-04-09
Power dissipation – Verlustleistung 310 mW
Repetitive peak reverse voltage 40 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case SOT-23
Kunststoffgehäuse (TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25/C) Grenzwerte (T
A
= 25/C)
per diode / pro Diode BAS40-series
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
310 mW
1
)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
1
)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I
FRM
300 mA
1
)
Peak forward surge current t
p
# 1 s
Stoßstrom-Grenzwert
I
FSM
600 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
40 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
150/C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
- 55…+ 150/C
Characteristics (T
j
= 25/C) Kennwerte (T
j
= 25/C)
Forward voltage - Durchlaßspannung
2
)I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 40 mA
V
F
V
F
V
F
< 380 mV
< 500 mV
< 1000 mV
Leakage current - Sperrstrom
2
)V
R
= 30 V
V
R
= 40 V
I
R
I
R
< 200 nA
< 10 :A