BAS19
器件描述:Surface Mount Silicon Planar Small-Signal Diode
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器件资料摘要:
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
104.02.2003
BAS 19 ... 21
Surface Mount Silicon Planar Silizium-Planar-Diode
Small-Signal Diode für die Oberflächenmontage
Nominal current – Nennstrom 200 mA
Repetitive peak reverse voltage 85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case SOT-23
Kunststoffgehäuse (TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Dimensions / Maße in mm
1 = anode 2 = n. c.
3 = cathode
Standard packaging taped and reeled see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Working peak reverse voltage
Arbeits-Spitzensperrspannung
V
RWM
[V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
BAS 19 100 120
BAS 20 150 200
BAS 21 200 250
Max. average forward current t
p
< 0.3 ms I
FAV
200 mA
1
)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
625 mA
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current T
j
= 25g47Ct
p
= 1 g58s I
FSM
2.5 A
Stoßstrom-Grenzwert t
p
= 1 s I
FSM
0.5 A
Max. power dissipation T
A
= 25g47CP
tot
500 mW
1
)
Verlustleistung
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50...+ 150g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50...+ 150g47C