BAS16
器件描述:Surface Mount Silicon Planar Small-Signal Diode
文件大小:179.72KB,共2页
Sponsor by e络盟
器件资料摘要:
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
111.03.2003
BAS 16
Surface Mount Silicon Planar Silizium-Planar-Diode
Small-Signal Diode für die Oberflächenmontage
Nominal current – Nennstrom 250 mA
Repetitive peak reverse voltage 85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case SOT-23
Kunststoffgehäuse (TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Dimensions / Maße in mm
1 = anode 2 = n. c. / frei
3 = cathode
Standard packaging taped and reeled see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage V
RRM
85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Max. average forward current I
FAV
250 mA
1
)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
450 mA
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current T
j
= 25g47Ct
p
= 1 g58s I
FSM
2 A
Stoßstrom-Grenzwert
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 65...+ 150g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 65...+ 150g47C
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T
j
= 25g47CI
F
= 1 mA V
F
< 715 mV
Durchlaßspannung I
F
= 10 mA V
F
< 855 mV
I
F
= 50 mA V
F
< 1.0 V
I
F
= 0.15 A V
F
< 1.25 V
Leakage current T
j
= 25g47CV
R
= 75 V I
R
< 1 g58A
Sperrstrom T
j
= 150g47CV
R
= 25 V I
R
< 30 g58A
T
j
= 150g47CV
R
= 75 V I
R
< 50 g58A