EEWorld首页 新闻 论坛 博客 白皮书 专题 电子电路 电子器件 单片机 嵌入式 模拟电路 DSP FPGA 电源管理 手机/便携 医疗电子 汽车电子 工业控制
厂商索引:A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N-O-P-Q-R-S-T-U-V-W-X-Y-Z

AG6A

器件描述:Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation
器件厂商:DIOTEC [Diotec Semiconductor]
厂商主页:http://www.diotec.com/
文件大小:103.37KB,共1页
Sponsor by e络盟
器件资料摘要:
1
) Max. temperature of the terminals T
T
= 100g47C – Max. Temperatur der Kontaktflächen T
T
= 100g47C
39928.02.2002
AG 6A … AG6M
Silicon Rectifier Cells Silizium-Gleichrichterzellen
with polysiloxan passivation mit Polysiloxan-Passivierung
Nominal current – Nennstrom 6 A
Repetitive peak reverse voltage 50…1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Weight approx. – Gewicht ca. 0.3 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Maximum ratings and Characteristics Kenn- und Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
AG 6A 50 80
AG 6B 100 130
AG 6D 200 250
AG 6G 400 450
AG 6J 600 700
AG 6K 800 1000
AG 6M 1000 1300
Max. forward rectified current, R-load T
T
= 100g47CI
FAV
6 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
40 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
400 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25g47Ci
2
t 800 A
2
s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50...+150g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50...+150g47C
Forward voltage T
j
= 25g47CI
F
= 6 A V
F
< 0.95 V
Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom T
j
= 25g47CV
R
= V
RRM
I
R
< 10 g58A