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AG12A

器件描述:Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation
器件厂商:DIOTEC [Diotec Semiconductor]
厂商主页:http://www.diotec.com/
文件大小:103.51KB,共1页
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器件资料摘要:
1
) Max. temperature of the terminals T
T
= 100g47C – Max. Temperatur der Kontaktflächen T
T
= 100g47C
400 28.02.2002
AG 12A … AG 12M
Silicon Rectifier Cells Silizium-Gleichrichterzellen
with polysiloxan passivation mit Polysiloxan-Passivierung
Nominal current – Nennstrom 12 A
Repetitive peak reverse voltage 50…1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Weight approx. – Gewicht ca. 0.3 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Maximum ratings and Characteristics Kenn- und Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
AG 12A 50 80
AG 12B 100 130
AG 12D 200 250
AG 12G 400 450
AG 12J 600 700
AG 12K 800 1000
AG 12M 1000 1300
Max. forward rectified current, R-load T
T
= 100g47CI
FAV
12 A
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current f > 15 Hz I
FRM
60 A
1
)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T
A
= 25g47CI
FSM
500 A
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms T
A
= 25g47Ci
2
t 1250 A
2
s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
j
– 50...+150g47C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
S
– 50...+150g47C
Forward voltage T
j
= 25g47CI
F
= 12 A V
F
< 0.95 V
Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom T
j
= 25g47CV
R
= V
RRM
I
R
< 10 g58A