EEWorld首页 新闻 论坛 博客 白皮书 专题 电子电路 电子器件 单片机 嵌入式 模拟电路 DSP FPGA 电源管理 手机/便携 医疗电子 汽车电子 工业控制
厂商索引:A-B-C-D-E-F-G-H-I-J-K-L-M-N-O-P-Q-R-S-T-U-V-W-X-Y-Z
9013
器件描述:NPN SILICON TRANSISTOR
器件厂商:WINGS [Wing Shing Computer Components]
文件大小:75.8KB,共1页
器件资料摘要:
FEATURES
特 征
Power dissipation 最大耗散功率
P
CM
: 0.625 W Tamb=25
Collector current 最大集电极电流
I
CM
: 0.5 A
Collector-base voltage 集电极--基极击穿电压
V
(BR)CBO
: 45 V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 unless otherwise specified
电 特 性 环境温度 除 非 另 有 规 定
Parameter
参 数
Symbol
符 号
Test conditions
测 试 条 件
MIN
最小值
TYP
典型值
MAX
最大值
UNIT
单位
Collector-base breakdown voltage
集电极--基极击穿电压
V(BR)
CBO
Ic= 100 A I
E
=0 45 V
Collector-emitter breakdown voltage
集电极--发射极击穿电压
V(BR)
CEO
Ic= 0. 1 mA I
B
=0 25 V
Emitter-base breakdown voltage
发射极--基极击穿电压
V(BR)
EBO
I
E
= 100 A I
C
=0 5 V
Collector cut-off current
集电极--基极截止电流
I
CBO
V
CB
= 40 V I
E
=0 0.1 A
Collector cut-off current
集电极--发射极截止电流
I
CEO
V
CE
= 20 V I
B
=0 0.1 A
Emitter cut-off current
发射极--基极截止电流
I
EBO
V
EB
= 5 V I
C
=0 0.1 A
H
FE 1
V
CE
= 1 V, I
C
= 50 mA 64 300
DC current gain(note)
直流电流增益
H
FE 2
V
CE
= 1V, I
C
=500 mA 40
Collector-emitter saturation voltage
集电极--发射极饱和压降
V
CE
(sat) I
C
= 500 mA, I
B
=50 mA 0.6 V
Base-emitter saturation voltage
基极--发射极饱和压降
V
BE
(sat) I
C
= 500mA, I
B
= 50 mA 1.2 V
Base-emitter voltage
基极--发射极正向电压
V
BE
I
E
=100mA 1.4 V
Transition frequency
特征频率
f
T
V
CE
= 6 V, I
C
= 20 mA
f =30MHz
150 MHz
CLASSIFICATION OF H
FE(1)
分类
Rank
档次
DEFGH I
Range
范围
64-91 78-112 96-135 112-166 144-220 190-300


1 2 3
TO 92
1.EMITTER
发 射 极
2.BASE
基 极
3.COLLECTOR
集 电 极
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
Homepage: http://www.wingshing.com E-mail: wsccltd@hkstar.com