Darlington Silicon
Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low speed
switching applications.
• High DC Current Gain —
h
FE
= 3500 (Typ) @ I
C
= 4 Adc
• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 200 mAdc
V
CEO(sus)
= 60 Vdc (Min) — 2N6667
= 80 Vdc (Min) — 2N6668
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 2 Vdc (Max)@ I
C
= 5 Adc
• Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
• TO–220AB Compact Package
• Complementary to 2N6387, 2N6388
COLLECTOR
EMITTER
8 k 120
Figure 1. Darlington Schematic
BASE
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2N6667
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
2N6668
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
15
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
65
0.52
ÎÎÎ
watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
A
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2
0.016
ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
T
J
, T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
C
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 4
1 Publication Order Number:
2N6667/D
2N6667
2N6668
PNP SILICON
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
10 AMPERES
60–80 VOLTS
65 WATTS
CASE 221A–09
TO–220AB
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
1
2
3
4