High Voltage NPN Silicon
Power Transistors
. . . designed for high voltage inverters, switching regulators and
line–operated amplifier applications. Especially well suited for
switching power supply applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage –
V
CEO(sus)
= 250 Vdc (Min)
• Excellent DC Current Gain
h
FE
= 10–75 @ I
C
= 2.5 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage @ I
C
= 2.5 Adc –
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current – Continuous
– Peak
ÎÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
10
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
80
0.64 ÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
T
J
,T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.56
ÎÎÎ
C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
ON Semiconductor

 Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 11
1 Publication Order Number:
2N6497/D
2N6497
5 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
250 VOLT
80 WATTS
CASE 221A–09
TO–220AB
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
1
2
3
4