High-Power PNP Silicon
Transistors
. . . designed for use in industrial–military power amplifier and
switching circuit applications.
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min) — 2N6437
= 120 Vdc (Min) — 2N6438
• High DC Current Gain —
h
FE
= 20–80 @I
C
= 10 Adc
= 12 (Min) @ I
C
= 25 Adc
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
V
CE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) @ I
C
= 10 Adc
• Fast Switching Times @ I
C
= 10 Adc
t
r
= 0.3 µs (Max)
t
s
= 1.0 µs (Max)
t
f
= 0.25 µs (Max)
• Complement to NPN 2N6339 thru 2N6341
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6437
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6438
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
V
CB
ÎÎÎÎ
120
ÎÎÎÎ
140
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
V
CEO
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
120
ÎÎÎ
Vdc
Emitter–Base Voltage V
EB
ÎÎÎÎÎÎÎ
6.0 Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
25
50
ÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
I
B
ÎÎÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ T
C
= 25 C
Derate above 25 C
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.14
ÎÎÎ
Watts
W/ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
J
,T
stg
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
R
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
0.875
ÎÎÎ
C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
April, 2001 – Rev. 2
1 Publication Order Number:
2N6437/D
2N6437
2N6438
*ON Semiconductor Preferred Device
25 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
100, 120 VOLTS
200 WATTS
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)